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CMM1100 2-18G MMIC低噪聲放大器

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CMM1100 2-18G MMIC低噪聲放大器 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CMM1100 2-18G MMIC低噪聲放大器技術(shù)參數(shù)

CMM0511-QT-0G0T 功能描述:RF Amplifier IC General Purpose 5GHz ~ 14GHz 16-QFN (3x3) 制造商:m/a-com technology solutions 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效頻率:5GHz ~ 14GHz P1dB:11dBm 增益:20dB 噪聲系數(shù):- RF 類型:通用電壓 - 電源:5 V ~ 7 V 電流 - 電源:90mA 測試頻率:- 封裝/外殼:16-VFQFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:16-QFN（3x3）標準包裝:1 CMLT8099 TR 功能描述:TRANS 2NPN 80V 0.5A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLT7820G TR 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:340mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:150 @ 500mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLT5551 TR 功能描述:TRANS 2NPN 160V 0.6A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:600mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:160V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:200mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMLT5088EM TR 功能描述:TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT-563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:2 NPN（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-563，SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SOT-563 標準包裝:1 CMMCX174 CMMCX174RA CMMJBL CMMJBU CMMJEI CMMJIG CMMJIW CMMJWH CMMPOBLBL CMMPOPVBLBL CMMR1-02 TR CMMR1-04 TR CMMR1-06 TR CMMR1-10 TR CMMR1F-06 TR CMMR1S-02 TR CMMR1U-02 TR CMMR1U-04 TR