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CMZ20(TE12L,Q,M)

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

CMZ20(TE12L,Q,M)
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
12420
TOSHIBA(東芝)
SOD-128
2025+
-

CMZ20(TE12L,Q,M)
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
45
TOSHIBA
con
24+
-
二極管

CMZ20(TE12L,Q,M)
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
45
TOSHIBA
con
24+
-
二極管

CMZ20(TE12L,Q,M)
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
38418
Toshiba Semiconductor and
SOD-128
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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CMZ20(TE12L,Q,M) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CMZ20(TE12L,Q,M) PDF下載

功能描述
穩壓二極管 20V 2W M-FLAT
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
齊納電壓
12 V
電壓容差
5 %
電壓溫度系數
0.075 % / K
齊納電流
功率耗散
3 W
最大反向漏泄電流
3 uA
最大齊納阻抗
7 Ohms
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
DO-214AC
封裝
Reel

CMZ20(TE12L,Q,M) 技術參數

CMZ18(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:18V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 13V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標準包裝:3,000 CMZ16(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:16V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 11V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標準包裝:3,000 CMZ15(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:15V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 10V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標準包裝:3,000 CMZ13(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:13V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標準包裝:3,000 CMZ12(TE12L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE M-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:2W 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.2V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-128 供應商器件封裝:M-FLAT（2.4x3.8）標準包裝:3,000 CMZ5919B TR13 CMZ5920B BK CMZ5920B TR13 CMZ5921B BK CMZ5921B TR13 CMZ5922B BK CMZ5922B TR13 CMZ5923B BK CMZ5923B TR13 CMZ5924B BK CMZ5924B TR13 CMZ5925B BK CMZ5925B TR13 CMZ5927B BK CMZ5927B TR13 CMZ5928B BK CMZ5928B TR13 CMZ5929B BK