欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網登錄 | 免費注冊

管理采購發布采購信息

您現在的位置：買賣IC網 > C字母型號搜索 > C字母第3868頁 >

CPC3902ZTR

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： CPC3909CTR CPC3909ZTR CPC3960ZTR CPC3980ZTR CPC3982TTR CPC40055ST CPC44055ST CPC5001G CPC5001GS

CPC3902ZTR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CPC3902ZTR PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 250V SOT-223
制造商
ixys integrated circuits division
系列
-
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
250V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
230pF @ 20V
FET 功能
耗盡模式
功率耗散（最大值）
1.8W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
2.5 歐姆 @ 300mA， 0V
工作溫度
-55°C ~ 110°C（TA）
安裝類型
表面貼裝
供應商器件封裝
SOT-223
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
標準包裝
1

CPC3902ZTR 技術參數

CPC3902CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V TO-243AA 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗盡模式功率耗散（最大值）:1.8W（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 300mA， 0V 工作溫度:125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:SOT-89 封裝/外殼:TO-243AA 標準包裝:1,000 CPC3730C 功能描述:MOSFET N-CH 350V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:350V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 歐姆 @ 140mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:200pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:200 CPC3720C 功能描述:MOSFET N-CH 350V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:350V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:22 歐姆 @ 130mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:200 CPC3714C 功能描述:MOSFET N-CH 350V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:350V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 歐姆 @ 240mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:200 CPC3710CTR 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:耗盡模式漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10 歐姆 @ 220mA，0V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:350pF @ 25V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 125°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:1,000 CPC5001GSTR CPC5002G CPC5002GS CPC5002GSTR CPC5601D CPC5602CTR CPC5603CTR CPC5604A CPC5604ATR CPC5608N CPC5608NTR CPC5610A CPC5610ATR CPC5611A CPC5611ATR CPC5620A CPC5620ATR CPC5621A