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CPH3426-TL

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  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CPH3426-TL
    CPH3426-TL

    CPH3426-TL

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 4000

  • SANYO

  • SOT23

  • 04+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • CPH3426-TL-E
    CPH3426-TL-E

    CPH3426-TL-E

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 9200

  • SANYO/ON

  • CPH3

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • CPH3426-TL
    CPH3426-TL

    CPH3426-TL

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 4000

  • SANYO

  • SOT23

  • 04+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質量

  • CPH3426-TL-E
    CPH3426-TL-E

    CPH3426-TL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

  • SOT23

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • 1/1頁 40條/頁 共21條 
  • 1
CPH3426-TL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
CPH3426-TL 技術參數
  • CPH3362-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 100V 0.7A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):700mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.7 歐姆 @ 700mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.7nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):142pF @ 20V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3360-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):303 毫歐 @ 800mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:1 CPH3360-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1.6A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:Not For New Designs FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):1.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):303 毫歐 @ 800mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):2.2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):82pF @ 10V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3356-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):137 毫歐 @ 1A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):250pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3356-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:Not For New Designs FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):137 毫歐 @ 1A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):250pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:3-CPH 標準包裝:3,000 CPH3457-TL-H CPH3457-TL-W CPH3459-TL-W CPH3461-TL-H CPH3461-TL-W CPH3462-TL-W CPH38W23FGE3SK9X CPH38W23MARARK9X CPH3910-TL-E CPH47W23FGE3SK9X CPH47W23FGE3SN9X CPH47W23MARASK9X CPH47W23MARCSK9X CPH5504-TL-E CPH5505-TL-E CPH5506-TL-E CPH5512-TL-E CPH5517-TL-E
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