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CPH6443-P-TL-H

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  • CPH6443-P-TL-H
    CPH6443-P-TL-H

    CPH6443-P-TL-H

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • ON

  • SOT23-6

  • 最新批號

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  • CPH6443-P-TL-H
    CPH6443-P-TL-H

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  • 深圳市芯脈實業有限公司
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    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

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    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 50700

  • Sanyo

  • SOT-23-6 Thin, TSOT-

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
CPH6443-P-TL-H PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • ON Semiconductor
  • 晶體管極性
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 閘/源擊穿電壓
  • 漏極連續電流
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 配置
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • 封裝 / 箱體
  • 封裝
CPH6443-P-TL-H 技術參數
  • CPH6442-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):43 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6442-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Not For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):43 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6434-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):41 毫歐 @ 3A,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):790pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6429-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 2A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):220 毫歐 @ 1A,4V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.2nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):325pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6411-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 6A CPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):20 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1200pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6539-TL-H CPH6615-TL-E CPH6616-TL-E CPH6635-TL-H CPH6636R-TL-W CPH6904-TL-E CPH-E13/7/4-1S-6P CPH-E19/8/5-1S-8PD-Z CPH-E19/8/5-2S-4P-C CPH-E20/10/6-1S-8P CPH-E25/10/6-1S-10PD-C CPH-E25/13/7-1S-10P CPH-E30/15/7-1S-10P-C CPH-E32/16/9-1S-12P CPH-E34/14/9-1S-12PD-Z CPH-E42/21/15-1S-10P CPH-E55/28/21-1S-22P-Z CPH-E56/24/19-1S-12PD-Z
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