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CPH6528-TL-E

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  • CPH6528-TL-E
    CPH6528-TL-E

    CPH6528-TL-E

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:0755-23903058

    地址:深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 168000

  • SANYO

  • SOT-23-6

  • 22+

  • -
  • 每一片都來自原廠,正品保證

  • CPH6528-TL-E
    CPH6528-TL-E

    CPH6528-TL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • SANYO

  • SOT23-6

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • CPH6528-TL-E
    CPH6528-TL-E

    CPH6528-TL-E

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 10000

  • SANYO

  • SOT-23-6

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
CPH6528-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • SANYO Semiconductor Co Ltd
  • 功能描述
  • TRANSISTOR NPNPNP SOT346
CPH6528-TL-E 技術參數
  • CPH6501-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):225mV @ 15mA,750mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1.2W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6445-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):117 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):310pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH6444-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):505pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6444-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):505pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:3,000 CPH6443-TL-W 功能描述:MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4V 驅動 漏源極電壓(Vdss):35V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):37 毫歐 @ 3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.6V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):470pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細型,TSOT-23-6 供應商器件封裝:6-CPH 標準包裝:1 CPH-E13/7/4-1S-6P CPH-E19/8/5-1S-8PD-Z CPH-E19/8/5-2S-4P-C CPH-E20/10/6-1S-8P CPH-E25/10/6-1S-10PD-C CPH-E25/13/7-1S-10P CPH-E30/15/7-1S-10P-C CPH-E32/16/9-1S-12P CPH-E34/14/9-1S-12PD-Z CPH-E42/21/15-1S-10P CPH-E55/28/21-1S-22P-Z CPH-E56/24/19-1S-12PD-Z CP-HRMJU.FLJC-1A CPHS-EP13-1S-10P-Z CPHS-EP13-2S-10P-Z CPH-U15/11/6-1S-4P CPH-U15/11/6-2S-4P CPH-U20/16/7-1S-4P
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