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CRS20I30B(TE85LQM

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CRS20I30B(TE85LQM PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CRS20I30B(TE85LQM 技術參數

CRS20I30B(TE85L,QM 功能描述:DIODE SCHOTTKY 30V 2A S-FLAT 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:450mV @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100μA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:82pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:3,000 CRS20I30A(TE85L,QM 功能描述:Diode Schottky 30V 2A Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:490mV @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:60μA @ 30V 不同?Vr，F 時的電容:50pF @ 10V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123F 供應商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:3,000 CRS2010-JX-100ELF 功能描述:RES SMD 10 OHM 5% 1W 2010 制造商:bourns inc. 系列:CRS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電阻（歐姆）:10 容差:±5% 功率（W）:1W 成分:厚膜特性:高電壓，脈沖耐受溫度系數:±100ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:2010（5025 公制）供應商器件封裝:2010 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.098" 寬（5.00mm x 2.50mm）高度:0.026"（0.65mm）端子數:2 標準包裝:1 CRS2010-JW-4R7ELF 功能描述:RES SMD 4.7 OHM 5% 1W 2010 制造商:bourns inc. 系列:CRS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電阻（歐姆）:4.7 容差:±5% 功率（W）:1W 成分:厚膜特性:高電壓，脈沖耐受溫度系數:±200ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:2010（5025 公制）供應商器件封裝:2010 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.098" 寬（5.00mm x 2.50mm）高度:0.026"（0.65mm）端子數:2 標準包裝:1 CRS2010-FX-47R0ELF 功能描述:RES SMD 47 OHM 1% 1W 2010 制造商:bourns inc. 系列:CRS 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效電阻（歐姆）:47 容差:±1% 功率（W）:1W 成分:厚膜特性:高電壓，脈沖耐受溫度系數:±100ppm/°C 工作溫度:-55°C ~ 155°C 封裝/外殼:2010（5025 公制）供應商器件封裝:2010 大小/尺寸:0.197" 長 x 0.098" 寬（5.00mm x 2.50mm）高度:0.026"（0.65mm）端子數:2 標準包裝:1 CRS2512-FX-1004ELF CRS2512-FX-10R0ELF CRS2512-FX-27R0ELF CRS2512-FX-47R0ELF CRS2512-JW-4R7ELF CRS2512-JX-100ELF CRS2512-JX-102ELF CRS3 CRS30I30A(TE85L,QM CRS30I40A(TE85L,QM CRS4 CRS4-125-X CRS505 CRS512 CRS6 CRS6-X CRS7 CRSH2-10 BK