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CRZ36 TE85R

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  • 供應(yīng)商
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CRZ36 TE85R
    CRZ36 TE85R

    CRZ36 TE85R

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 105000

  • TOSHIBA

  • S-FLAT

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • CRZ36 TE85R
    CRZ36 TE85R

    CRZ36 TE85R

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TOSHIBA

  • S-FLAT

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號.原裝正品現(xiàn)貨！

  • CRZ36 TE85R
    CRZ36 TE85R

    CRZ36 TE85R

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
    深圳市軒盛達電子有限公司

    聯(lián)系人：陳

    電話：1588932848313924772445

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

  • 10000

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨，代找緊缺料

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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CRZ36 TE85R 技術(shù)參數(shù)
  • CRZ33(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 33V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:33V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 26.4V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ30(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ30(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 30V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:30V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 21V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ27(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:27V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 19V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ24(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:24V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 17V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CS00094AC-J5-DCC-32.7707E CS00095AC-J1-DCC-32.7707 CS00095AC-J1-DCC-32.7707E CS00096AC-J1-18E-0032.7707 CS00096AC-J1-18E-0032.7707E CS-00505 CS-00510 CS-00516 CS0068-000 CS0078-000 CS0085-000 CS0091-000 CS0095-000 CS01.0121.150 CS01.0221.150 CS0103-000 CS0143-000 CS-018-114.285M
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