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CSD18513Q5AT

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD18513Q5AT
    CSD18513Q5AT

    CSD18513Q5AT

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:

    電話:18724450645

    地址:中國上海

  • 321215

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 優勢庫存,原裝正品

  • CSD18513Q5AT
    CSD18513Q5AT

    CSD18513Q5AT

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

  • 321215

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 優勢庫存,原裝正品

  • CSD18513Q5AT
    CSD18513Q5AT

    CSD18513Q5AT

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 321215

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • CSD18513Q5AT
    CSD18513Q5AT

    CSD18513Q5AT

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 321215

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD18513Q5AT
    CSD18513Q5AT

    CSD18513Q5AT

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 321215

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD18513Q5AT
    CSD18513Q5AT

    CSD18513Q5AT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質:營業執照

  • 0

  • Ti

  • (DQJ)

  • 20

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • CSD18513Q5AT
    CSD18513Q5AT

    CSD18513Q5AT

  • 深圳市德江源電子有限公司
    深圳市德江源電子有限公司

    聯系人:張先生

    電話:8296641615986789713

    地址:深圳市福田區華強北街道振華路100號深紡大廈C座1A層1A621室

    資質:營業執照

  • 13000

  • TI/德州儀器

  • VSONP-8

  • 20+

  • -
  • 只做原裝,假一賠十

  • CSD18513Q5AT
    CSD18513Q5AT

    CSD18513Q5AT

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29255

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
CSD18513Q5AT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 40V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 124A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 61nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 4280pF @ 20V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 96W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 5.3 毫歐 @ 19A,10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • 8-VSONP(5x6)
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 標準包裝
  • 1
CSD18513Q5AT 技術參數
  • CSD18512Q5B 功能描述:40V N CH MOSFET 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):211A (Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7120pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):139W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 毫歐 @ 30A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-VSON-CLIP(5x6) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18511Q5AT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):159A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.45V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):63nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5850pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):104W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 24A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-VSONP(5x6) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18511KTTT 功能描述:40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):110A(Ta),194A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5940pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):188W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 100A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線 + 接片),TO-263AA 標準包裝:1 CSD18510Q5BT 功能描述:MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):300A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):153nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):11400pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):156W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):0.96 毫歐 @ 32A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-VSON-CLIP(5x6) 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 CSD18510KTTT 功能描述:40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):274A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):132nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):11400pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):250W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 100A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DDPAK/TO-263-3 封裝/外殼:TO-263-4,D2Pak(3 引線 + 接片),TO-263AA 標準包裝:1 CSD18533KCS CSD18533Q5A CSD18533Q5AT CSD18534KCS CSD18534Q5A CSD18534Q5AT CSD18535KCS CSD18535KTT CSD18535KTTT CSD18536KCS CSD18536KTT CSD18536KTTT CSD18537NKCS CSD18537NQ5A CSD18537NQ5AT CSD18540Q5B CSD18540Q5BT CSD18541F5
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