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CSD25404Q3T

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • CSD25404Q3T
    CSD25404Q3T

    CSD25404Q3T

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 321159

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD25404Q3T
    CSD25404Q3T

    CSD25404Q3T

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 321159

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • CSD25404Q3T
    CSD25404Q3T

    CSD25404Q3T

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 321159

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • CSD25404Q3T
    CSD25404Q3T

    CSD25404Q3T

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

  • 321159

  • TI

  • con

  • 24+

  • -
  • 優勢庫存,原裝正品

  • CSD25404Q3T
    CSD25404Q3T

    CSD25404Q3T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質:營業執照

  • 0

  • Ti

  • (DQG)

  • 19

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • CSD25404Q3T
    CSD25404Q3T

    CSD25404Q3T

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • CSD25404Q3T
    CSD25404Q3T

    CSD25404Q3T

  • 深圳市歐和寧電子有限公司
    深圳市歐和寧電子有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-292759351581559886118576729816

    地址:廣東省 深圳市 福田區 華強北賽格科技園6C18室

  • 39800

  • TI

  • SON-8

  • 新年份

  • -
  • 一級代理全新原裝現貨特價!

  • CSD25404Q3T
    CSD25404Q3T

    CSD25404Q3T

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 29284

  • TI/德州儀器

  • N/A

  • 21+

  • -
  • 瑞智芯, 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
  • 制造商
  • texas instruments
  • 系列
  • NexFET??
  • 包裝
  • 剪切帶(CT)
  • 零件狀態
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓(Vdss)
  • 20V
  • 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
  • 104A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 6.5 毫歐 @ 10A,4.5V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 1.15V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)
  • 14.1nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)
  • 2120pF @ 10V
  • 功率 - 最大值
  • 2.8W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • *
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerTDFN
  • 供應商器件封裝
  • 8-VSON(3.3x3.3)
  • 標準包裝
  • 1
CSD25404Q3T 技術參數
  • CSD25404Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):104A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):14.1nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2120pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):2.8W(Ta),96W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 10A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 封裝/外殼:8-PowerVDFN 標準包裝:1 CSD25402Q3A 功能描述:MOSFET P-CH 20V 72A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):72A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.9 毫歐 @ 10A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1790pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD25401Q3 功能描述:MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):14A(Ta),60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.7 毫歐 @ 10A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 10V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標準包裝:1 CSD25310Q2 功能描述:MOSFET P-CH 20V 48A 6SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):20A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):23.9 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):655pF @ 10V 功率 - 最大值:2.9W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:* 封裝/外殼:6-WDFN 裸露焊盤 供應商器件封裝:6-WSON(2x2) 標準包裝:1 CSD25304W1015T 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):32.5 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.4nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):595pF @ 10V 功率 - 最大值:750mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-UFBGA,DSBGA 供應商器件封裝:6-DSBGA 標準包裝:1 CSD25485F5T CSD25501F3 CSD25501F3T CSD2-6832FL/39-25-5B CSD2-7152FL/39-25-5B CSD30208 CSD302410 CSD302412 CSD30248 CSD30308 CSD3080H CSD3120H CSD3160H CSD33V CSD36 CSD36248 CSD363012 CSD36308
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