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CSD88599Q5DC

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

CSD88599Q5DC
現(xiàn)貨
集好芯城
集好芯城
聯(lián)系人：陳先生 13360533550
電話：0755-83289799
地址：深圳市福田區(qū)深南中路漢國城市商業(yè)中心55層香港新界葵興葵康大廈6樓
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
18025
TI(德州儀器)
22+
-
原裝原廠現(xiàn)貨

CSD88599Q5DC
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8308997518573537851
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
Ti
VSON-CLIP (DMM)
19
-
瑞智芯只有原裝

CSD88599Q5DC
深圳市德江源電子有限公司
深圳市德江源電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：8296641615986789713
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道振華路100號(hào)深紡大廈C座1A層1A621室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
TI/德州儀器
VSON-CLIP-22
20+
-
只做原裝，假一賠十

CSD88599Q5DC
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
深圳市華雄半導(dǎo)體（集團(tuán)）有限公司
聯(lián)系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區(qū)棕科云端大廈1棟B座15層
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
4438
TI
VQFN-16
2229+
-
十年專營，供應(yīng)原裝正品！熱賣現(xiàn)貨！

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CSD88599Q5DC 技術(shù)參數(shù)

CSD88584Q5DCT 功能描述:MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:- 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:0.95 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:88nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:12400pF @ 20V 功率 - 最大值:12W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:22-PowerTFDFN 供應(yīng)商器件封裝:22-VSON-CLIP (5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88539NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88539ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9.4nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:741pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88537NDT 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD88537ND 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 30V 功率 - 最大值:2.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD95375Q4M CSD95377Q4M CSD95377Q4MT CSD95378BQ5M CSD95378BQ5MC CSD95378BQ5MCT CSD95378BQ5MT CSD95379Q3M CSD95379Q3MT CSD95472Q5MC CSD95472Q5MCT CSD95481RWJ CSD95481RWJT CSD95482RWJ CSD95482RWJT CSD95490Q5MC CSD95490Q5MCT CSD95491Q5MC