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CURFS08F06HBW1

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CURFS08F06HBW1 技術參數

CURC307-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURC304-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURC303-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURB207-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURB204-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:2A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 2A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AA，SMB 供應商器件封裝:DO-214AA（SMB）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURMT103-HF CURMT104-HF CURMT105-HF CURMT106-HF CURMT107-HF CURN101-HF CURN102-HF CURN103-HF CURN104-HF CURN105-HF CUS01(TE85L,Q,M) CUS02(TE85L,Q,M) CUS03(TE85L,Q,M) CUS04(TE85L,Q,M) CUS05(TE85L,Q,M) CUS05F30,H3F CUS05F30,H3F(T CUS05F40,H3F