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CURMT106-G

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CURMT106-G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

CURMT106-G 技術參數

CURMT104-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123H 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123H 供應商器件封裝:SOD-123H 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 CURMT103-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123H 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123H 供應商器件封裝:SOD-123H 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 CURM103-G 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A MINISMA 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOD-123T 供應商器件封裝:迷你型 SMA/SOD-123 工作溫度 - 結:-55°C ~ 150°C 標準包裝:1 CURC307-G 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CURC304-G 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:5μA @ 400V 不同?Vr，F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:DO-214AB，SMC 供應商器件封裝:DO-214AB，（SMC）工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:1 CUS03(TE85L,Q,M) CUS04(TE85L,Q,M) CUS05(TE85L,Q,M) CUS05F30,H3F CUS05F30,H3F(T CUS05F40,H3F CUS05S30,H3F CUS05S40,H3F CUS06(TE85L,Q,M) CUS08F30,H3F CUS10F30,H3F CUS10F40,H3F CUS10I30A(TE85L,QM CUS10I40A(TE85L,QM CUS10S30,H3F CUS10S40,H3F CUS12 CUS150M12