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CUS05(TE85LQM)

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CUS05(TE85LQM) 技術參數
  • CURN105-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.7V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,無引線 供應商器件封裝:1206/SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 CURN104-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):800V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.7V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,無引線 供應商器件封裝:1206/SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 CURN103-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):600V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.7V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,無引線 供應商器件封裝:1206/SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 CURN102-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.7V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,無引線 供應商器件封裝:1206/SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 CURN101-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.7V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr,F 時的電容:10pF @ 4V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,無引線 供應商器件封裝:1206/SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 CUS10I30A(TE85L,QM CUS10I40A(TE85L,QM CUS10S30,H3F CUS10S40,H3F CUS12 CUS150M12 CUS150M12/A CUS150M12/F CUS150M12/U CUS150M24 CUS150M24/A CUS150M24/F CUS150M24/U CUS150M48 CUS150M48/A CUS150M48/F CUS150M48/U CUS15I30A(TE85L,QM
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