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CY14B104L-ZS25XCES

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  • 功能描述
  • NVRAM nvSRAM 512Kx8 3V
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Maxim Integrated
  • 數(shù)據(jù)總線寬度
  • 8 bit
  • 存儲(chǔ)容量
  • 1024 Kbit
  • 組織
  • 128 K x 8
  • 接口類型
  • Parallel
  • 訪問時(shí)間
  • 70 ns
  • 電源電壓-最大
  • 5.5 V
  • 電源電壓-最小
  • 4.5 V
  • 工作電流
  • 85 mA
  • 最大工作溫度
  • + 70 C
  • 最小工作溫度
  • 0 C
  • 封裝 / 箱體
  • EDIP
  • 封裝
  • Tube
CY14B104L-ZS25XCES 技術(shù)參數(shù)
  • CY14B104L-ZS25XC 功能描述:NVRAM 4 Mbit (512K x 8) 25ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube CY14B104L-ZS20XIT 功能描述:NVRAM 4 Mbit (512K x 8) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube CY14B104L-ZS20XI 功能描述:NVRAM 4 Mbit (512K x 8) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube CY14B104L-ZS20XCT 功能描述:NVRAM 4 Mbit (512K x 8) 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube CY14B104L-ZS20XC 功能描述:NVRAM 512Kb x 8, 2.7-3.6V 20ns nvSRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube CY14B104M-ZSP45XI CY14B104M-ZSP45XIT CY14B104NA-BA25I CY14B104NA-BA25IT CY14B104NA-BA25XI CY14B104NA-BA25XIT CY14B104NA-BA45XE CY14B104NA-BA45XET CY14B104NA-BA45XI CY14B104NA-BA45XIT CY14B104NA-ZS20XI CY14B104NA-ZS20XIT CY14B104NA-ZS25XE CY14B104NA-ZS25XET CY14B104NA-ZS25XI CY14B104NA-ZS25XIT CY14B104NA-ZS45XE CY14B104NA-ZS45XET
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