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CY62127DV30L-70BVI

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說明
操作

CY62127DV30L-70BVI
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
CYPRESS
NULL
07+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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CY62127DV30L-70BVI PDF下載

制造商
Cypress Semiconductor
功能描述
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 1M-Bit 64K x 16 70ns 48-Pin VFBGA

CY62127DV30L-70BVI 技術參數

CY62127DV30L-55ZSXET 功能描述:IC SRAM 1MBIT 55NS 44TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY62127DV30L-55ZSXE 功能描述:IC SRAM 1MBIT 55NS 44TSOP RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY62127DV30L-55BVXET 功能描述:IC SRAM 1MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY62127DV30L-55BVXE 功能描述:IC SRAM 1MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY62126EV30LL-55ZSXET 功能描述:靜態隨機存取存儲器 1M MOBL ULTRA Lo PWR HI SPD ASYNC 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62128BLL-70ZRXE CY62128BLL-70ZRXET CY62128BLL-70ZXE CY62128BLL-70ZXET CY62128BLL-70ZXI CY62128BNLL-55SXI CY62128BNLL-55ZXI CY62128BNLL-70SXA CY62128BNLL-70SXAT CY62128BNLL-70SXE CY62128BNLL-70SXET CY62128BNLL-70ZAXE CY62128BNLL-70ZAXET CY62128BNLL-70ZXA CY62128BNLL-70ZXAT CY62128DV30LL-55SXI CY62128DV30LL-70SI CY62128DV30LL-70SXI