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CY7C1161V18-333BZI

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CY7C1161V18-333BZI 技術參數
  • CY7C1150KV18-450BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 450MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1150KV18-400BZXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1150KV18-400BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1150KV18-400BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C11501KV18-400BZXI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165-FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) CY7C1165V18-400BZXC CY7C11681KV18-400BZC CY7C11681KV18-400BZXC CY7C11681KV18-450BZC CY7C11681KV18-450BZXC CY7C1168KV18-400BZC CY7C1168KV18-400BZXC CY7C1168KV18-450BZC CY7C1168KV18-450BZXC CY7C1168KV18-550BZXC CY7C1168V18-375BZC CY7C1168V18-375BZXC CY7C1168V18-400BZC CY7C1168V18-400BZXC CY7C11701KV18-400BZXC CY7C1170KV18-400BZC CY7C1170KV18-400BZXC CY7C1170KV18-450BZXC
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