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CY7C1163V18-300BZI

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CY7C1163V18-300BZI 技術參數
  • CY7C1163KV18-550BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1163KV18-450BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1163KV18-400BZI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 400MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1150KV18-450BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 450MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1150KV18-400BZXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C11681KV18-450BZC CY7C11681KV18-450BZXC CY7C1168KV18-400BZC CY7C1168KV18-400BZXC CY7C1168KV18-450BZC CY7C1168KV18-450BZXC CY7C1168KV18-550BZXC CY7C1168V18-375BZC CY7C1168V18-375BZXC CY7C1168V18-400BZC CY7C1168V18-400BZXC CY7C11701KV18-400BZXC CY7C1170KV18-400BZC CY7C1170KV18-400BZXC CY7C1170KV18-450BZXC CY7C1170KV18-550BZC CY7C1170V18-400BZC CY7C1170V18-400BZXC
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