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CY7C1170V18-333BZXI

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CY7C1170V18-333BZXI 技術參數

CY7C1170KV18-550BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 550MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1170KV18-450BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 450MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1170KV18-400BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1170KV18-400BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 400MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C11701KV18-400BZXC 功能描述:IC SRAM 18MBIT 400MHZ 165FPBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR CY7C1245KV18-400BZXI CY7C1245KV18-450BZC CY7C12481KV18-400BZC CY7C12481KV18-400BZXC CY7C1248KV18-400BZC CY7C1248KV18-400BZXC CY7C1248KV18-450BZXC CY7C12501KV18-400BZC CY7C12501KV18-400BZXC CY7C12501KV18-450BZXC CY7C1250KV18-400BZC CY7C1250KV18-400BZI CY7C1250KV18-400BZXC CY7C1250KV18-450BZXC CY7C1250V18-333BZC CY7C1250V18-333BZXC CY7C1262XV18-366BZXC CY7C1262XV18-450BZXC