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CY7C12631KV18-400BZXI

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CY7C12631KV18-400BZXI 技術參數
  • CY7C12631KV18-400BZI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mb X 18 400MHz QDR-II+ 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1262XV18-450BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1262XV18-366BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 366MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1250V18-333BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36-Mbit DDR-II+ 靜態隨機存取存儲器 1.8volts RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1250V18-333BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36M Q2+ B2 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1263XV18-600BZXC CY7C1263XV18-633BZXC CY7C1264XV18-366BZXC CY7C1264XV18-450BZXC CY7C1265KV18-400BZC CY7C1265KV18-400BZXC CY7C1265KV18-450BZXC CY7C1265KV18-550BZC CY7C1265KV18-550BZXC CY7C1265V18-400BZC CY7C1265V18-400BZXC CY7C1265V18-450BZC CY7C1265XV18-600BZXC CY7C1265XV18-633BZXC CY7C12681KV18-400BZC CY7C12681KV18-400BZXC CY7C12681KV18-450BZXC CY7C1268KV18-400BZC
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