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CY7C1265V18-333BZXI

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CY7C1265V18-333BZXI 技術參數

CY7C1265KV18-550BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 550MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1265KV18-550BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 550MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1265KV18-450BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 450MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1265KV18-400BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1265KV18-400BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 400MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1268KV18-400BZXC CY7C1268KV18-450BZXC CY7C1268KV18-550BZXC CY7C1268V18-400BZXC CY7C1268XV18-600BZXC CY7C1268XV18-633BZXC CY7C12701KV18-400BZXC CY7C1270KV18-400BZC CY7C1270KV18-400BZXC CY7C1270KV18-400BZXI CY7C1270KV18-550BZC CY7C1270V18-375BZC CY7C1270V18-375BZI CY7C1270V18-375BZXC CY7C1270V18-400BZC CY7C1270V18-400BZXC CY7C1270XV18-600BZXC CY7C1270XV18-633BZXC