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CY7C141-25NI

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CY7C141-25NI 技術參數

CY7C141-25JXCT 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY7C141-25JXC 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:70ns 接口:并聯電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 CY7C141-25JC 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:96 系列:- 格式 - 存儲器:閃存存儲器類型:FLASH 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16）速度:70ns 接口:并聯電源電壓:2.65 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 CY7C14121KV18-300BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2M X 18 1.8V QDR II 靜態隨機存取存儲器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1411SV18-250BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 NV靜態隨機存取存儲器 250 MHz 1.8V RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1412BV18-200BZC CY7C1412BV18-200BZI CY7C1412BV18-200BZXC CY7C1412BV18-250BZC CY7C1412BV18-250BZXC CY7C1412KV18-250BZC CY7C1412KV18-250BZCT CY7C1412KV18-250BZI CY7C1412KV18-250BZXC CY7C1412KV18-250BZXI CY7C1412KV18-300BZC CY7C1412KV18-300BZXC CY7C1412KV18-300BZXI CY7C1412KV18-333BZC CY7C1412KV18-333BZXI CY7C1412SV18-200BZC CY7C1412TV18-200BZC CY7C1413AV18-200BZC