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CY7C1412JV18

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CY7C1412JV18 技術參數(shù)

CY7C1412BV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 1.8V QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1412BV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1412BV18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1412BV18-200BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR-II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1412BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 2 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1412KV18-333BZXI CY7C1412SV18-200BZC CY7C1412TV18-200BZC CY7C1413AV18-200BZC CY7C1413AV18-200BZI CY7C1413AV18-250BZC CY7C1413AV18-250BZCT CY7C1413AV18-250BZXC CY7C1413BV18-200BZC CY7C1413BV18-250BZC CY7C1413JV18-200BZXI CY7C1413JV18-250BZI CY7C1413JV18-250BZXC CY7C1413JV18-300BZC CY7C1413JV18-300BZXC CY7C1413KV18-250BZC CY7C1413KV18-250BZCT CY7C1413KV18-250BZI