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CY7C1413JV18-250BZXI

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  • 制造商
  • Cypress Semiconductor
  • 功能描述
CY7C1413JV18-250BZXI 技術參數
  • CY7C1413JV18-250BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36-Mbit QDR 靜態隨機存取存儲器 4-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1413JV18-250BZI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mx18 QDR-II Burst 4 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1413JV18-200BZXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mx18 QDR-II BURST 4 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1413BV18-250BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1413BV18-200BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1413KV18-300BZXC CY7C1413KV18-333BZC CY7C1413KV18-333BZI CY7C1413KV18-333BZXI CY7C1413SV18-250BZC CY7C1413TV18-250BZC CY7C1413UV18-300BZC CY7C1413UV18-300BZXC CY7C14141KV18-250BZXC CY7C14141KV18-300BZXC CY7C1414AV18-167BZC CY7C1414AV18-167BZCT CY7C1414AV18-167BZI CY7C1414AV18-200BZC CY7C1414AV18-200BZI CY7C1414AV18-200BZXC CY7C1414AV18-250BZC CY7C1414BV18-167BZC
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