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CY7C1512JV18-267BZXI

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CY7C1512JV18-267BZXI 技術參數
  • CY7C1512JV18-267BZIT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR-II Burst 2 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512JV18-267BZI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR-II Burst 2 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512AV18-250BZXIT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR-II Burst 2 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512AV18-250BZXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512AV18-250BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512KV18-300BZI CY7C1512KV18-300BZIT CY7C1512KV18-300BZXC CY7C1512KV18-300BZXI CY7C1512KV18-333BZC CY7C1512KV18-333BZI CY7C1512KV18-333BZXC CY7C1512KV18-333BZXI CY7C1512KV18-350BZC CY7C1512LV18-250BZXC CY7C1512SV18-200BZI CY7C1512SV18-250BZC CY7C1512TV18-167BZC CY7C1512TV18-167BZXC CY7C1512TV18-200BZC CY7C1512TV18-250BZC CY7C1512TV18-250BZI CY7C1512TV18-250BZXC
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