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CY7C1512V18-300BZI

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CY7C1512V18-300BZI 技術參數

CY7C1512V18-250BZXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512V18-250BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態隨機存取存儲器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512V18-250BZIT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態隨機存取存儲器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512V18-250BZI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態隨機存取存儲器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1512V18-250BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mx18 72M QDR II Burst 2 靜態隨機存取存儲器 COM RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1513KV18-250BZI CY7C1513KV18-250BZXC CY7C1513KV18-250BZXI CY7C1513KV18-300BZC CY7C1513KV18-300BZI CY7C1513KV18-300BZXC CY7C1513KV18-333BZC CY7C1513KV18-333BZI CY7C1513KV18-333BZXC CY7C1513TV18-250BZC CY7C1513UV18-300BZC CY7C1513V18-200BZC CY7C1513V18-250BZC CY7C1514AV18-167BZC CY7C1514AV18-167BZXC CY7C1514AV18-200BZC CY7C1514AV18-200BZI CY7C1514AV18-200BZXI