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CY7C1518JV18-300BZXI

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CY7C1518JV18-300BZXI 技術參數
  • CY7C1518JV18-300BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1518JV18-300BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1518JV18-250BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II 靜態隨機存取存儲器 (TWO-WRD BURST) RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1518AV18-250BZXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1518AV18-250BZI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1518KV18-333BZC CY7C1518KV18-333BZI CY7C1518KV18-333BZXC CY7C1518KV18-333BZXI CY7C1518TV18-250BZC CY7C1518UV18-300BZXC CY7C1518V18-167BZC CY7C1518V18-200BZC CY7C1518V18-250BZC CY7C1520AV18-200BZC CY7C1520AV18-200BZCT CY7C1520AV18-200BZXI CY7C1520AV18-250BZC CY7C1520AV18-250BZXC CY7C1520JV18-300BZC CY7C1520JV18-300BZXC CY7C1520KV18-200BZC CY7C1520KV18-250BZC
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