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CY7C1518KV18-167BZXC

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CY7C1518KV18-167BZXC 技術參數

CY7C1518JV18-312BZC 功能描述:IC SRAM 4MX18 DDRII 165-FBGA RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬）供應商設備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) CY7C1518JV18-300BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1518JV18-300BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II (2-Word Burst) RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1518JV18-250BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR-II 靜態隨機存取存儲器 (TWO-WRD BURST) RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1518AV18-250BZXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1518KV18-333BZI CY7C1518KV18-333BZXC CY7C1518KV18-333BZXI CY7C1518TV18-250BZC CY7C1518UV18-300BZXC CY7C1518V18-167BZC CY7C1518V18-200BZC CY7C1518V18-250BZC CY7C1520AV18-200BZC CY7C1520AV18-200BZCT CY7C1520AV18-200BZXI CY7C1520AV18-250BZC CY7C1520AV18-250BZXC CY7C1520JV18-300BZC CY7C1520JV18-300BZXC CY7C1520KV18-200BZC CY7C1520KV18-250BZC CY7C1520KV18-250BZCT