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CY7C1525KV18-200BZC

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CY7C1525KV18-200BZC 技術參數

CY7C1525JV18-250BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態隨機存取存儲器 Two-Word Burst RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1525JV18-250BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態隨機存取存儲器 Two-Word Burst RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1523KV18-250BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1523JV18-300BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4Mbx18 72Mb 1.7-1.9V 300 MHz 2 WORD BURST RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1523AV18-250BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 4M x 18 1.8V DDR II SIO 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1525V18-200BZC CY7C1525V18-200BZXC CY7C1525V18-250BZXC CY7C1526KV18-300BZXC CY7C1543KV18-400BZC CY7C1543KV18-400BZI CY7C1543KV18-450BZC CY7C1543KV18-450BZI CY7C1543V18-333BZC CY7C1543V18-333BZI CY7C1543V18-375BZC CY7C1545KV18-400BZC CY7C1545KV18-400BZXI CY7C1545KV18-450BZC CY7C1545KV18-450BZXI CY7C1545V18-333BZC CY7C1545V18-375BZC CY7C1548KV18-400BZC