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CY7C2268XV18-633BXC

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CY7C2268XV18-633BXC 技術參數

CY7C2268XV18-600BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 600MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C2268KV18-550BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 550MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C2268KV18-450BZC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C2265XV18-633BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 633MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C2265XV18-600BZXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 36MB (1Mx36) 1.8v 600MHz QDR II 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C25442KV18-333BZI CY7C25442KV18-333BZXI CY7C2544KV18-300BZI CY7C2544KV18-333BZI CY7C2562XV18-366BZXC CY7C2562XV18-450BZXC CY7C25632KV18-400BZC CY7C25632KV18-400BZXI CY7C25632KV18-450BZC CY7C25632KV18-450BZXI CY7C25632KV18-500BZC CY7C25632KV18-500BZXC CY7C25632KV18-500BZXI CY7C25632KV18-550BZC CY7C25632KV18-550BZXI CY7C2563KV18-400BZC CY7C2563KV18-400BZXI CY7C2563KV18-450BZC