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CYDM128A16-65BVXI

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CYDM128A16-65BVXI 技術參數

CYDM064B16-55BVXIT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 64K 4Kx16 MoBL Dual Port IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CYDM064B16-55BVXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 64K 4Kx16 MoBL Dual Port IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CYDM064B16-40BVXIT 功能描述:IC SRAM 64KBIT 40NS 100VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 產品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18）速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA（13x15）包裝:托盤其它名稱:71P71804S200BQ CYDM064B16-40BVXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 64K 4Kx16 MoBL Dual Port IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CYDM064B08-55BVXI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 64K 8Kx8 MoBL Dual Port IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CYDM256B16-55BVXIT CYDMX064A16-65BVXI CYDMX064A16-90BVXI CYDMX064B16-65BVXI CYDMX128A16-65BVXI CYDMX128A16-65BVXIT CYDMX128A16-90BVXI CYDMX128B16-65BVXI CYDMX256A16-65BVXI CYDMX256A16-90BVXI CYDP1049 CYDP1542 CYDP1543 CYDP1544 CYDP1545 CYF0018V18L-133BGXI CYF0018V33L-133BGXI CYF0036V33L-133BGXI