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CSD16413Q5

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CSD16413Q5 技術(shù)參數(shù)
  • CSD16412Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14A(Ta),52A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):530pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16411Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14A(Ta),56A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):3.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):570pF @ 12.5V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16410Q5A 功能描述:MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Ta),59A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):740pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16409Q3 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):15A(Ta),60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8.2 毫歐 @ 17A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):5.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):800pF @ 12.5V 功率 - 最大值:2.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-VSON(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD16408Q5C 功能描述:MOSFET N-CH 25V 113A 8SON 制造商:texas instruments 系列:NexFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):25V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):22A(Ta),113A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.5 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):8.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1300pF @ 12.5V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-SON-EP(5x6) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CSD17303Q5 CSD17304Q3 CSD17305Q5A CSD17306Q5A CSD17307Q5A CSD17308Q3 CSD17308Q3T CSD17309Q3 CSD17310Q5A CSD17311Q5 CSD17312Q5 CSD17313Q2 CSD17313Q2Q1 CSD17313Q2Q1T CSD17313Q2T CSD17318Q2 CSD17318Q2T CSD17322Q5A
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