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CUS02

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制造商
TOSHIBA
制造商全稱
Toshiba Semiconductor
功能描述
Switching Mode Power Supply Applications

CUS02 技術參數

CURN105-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線供應商器件封裝:1206/SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 CURN104-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 800V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:800V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:75ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線供應商器件封裝:1206/SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 CURN103-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線供應商器件封裝:1206/SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 CURN102-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線供應商器件封裝:1206/SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 CURN101-HF 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A 1206 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.7V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:50ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:- 不同?Vr，F 時的電容:10pF @ 4V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，無引線供應商器件封裝:1206/SOD-123 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 CUS06(TE85L,Q,M) CUS08F30,H3F CUS10F30,H3F CUS10F40,H3F CUS10I30A(TE85L,QM CUS10I40A(TE85L,QM CUS10S30,H3F CUS10S40,H3F CUS12 CUS150M12 CUS150M12/A CUS150M12/F CUS150M12/U CUS150M24 CUS150M24/A CUS150M24/F CUS150M24/U CUS150M48