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CY62168EV30LL-45BVXI

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功能描述
靜態隨機存取存儲器 16MB (2Mx8) 3v 45ns Async 靜態隨機存取存儲器
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存儲容量
16 Mbit
組織
1 M x 16
訪問時間
55 ns
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
2.2 V
最大工作電流
22 uA
最大工作溫度
+ 85 C
最小工作溫度
- 40 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TSOP-48
封裝
Tray

CY62168EV30LL-45BVXI 技術參數

CY62168DV30LL-55BVXIT 功能描述:IC SRAM 16MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY62168DV30LL-55BVXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 55NS 48VFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:MoBL® 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CY62168DV30LL-55BVIT 功能描述:靜態隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 2MEGX8 靜態隨機存取存儲器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62168DV30LL-55BVI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 SLO 3.0V SUPER LO PWR 2MEGX8 靜態隨機存取存儲器 IND RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY62167GN30-45ZXI 功能描述:IC SRAM 16MBIT 45NS 48TSOP 制造商:cypress semiconductor corp 系列:- 包裝:托盤零件狀態:在售存儲器類型:易失存儲器格式:SRAM 技術:SRAM - 異步存儲容量:16Mb （1M x 16）寫周期時間 - 字，頁:45ns 訪問時間:45ns 存儲器接口:并聯電壓 - 電源:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）供應商器件封裝:48-TSOP I 標準包裝:96 CY62177DV30LL-55BAXI CY62177DV30LL-55BAXIT CY62177ESL-55ZXI CY62177ESL-55ZXIT CY62177EV18LL-70BAXI CY62177EV18LL-70BAXIT CY62177EV30LL-55BAXI CY62177EV30LL-55BAXIT CY62177EV30LL-55ZXI CY62177EV30LL-55ZXIT CY62187EV18LL-70BAXI CY62187EV18LL-70BAXIT CY62187EV30LL-55BAXI CY62187EV30LL-55BAXIT CY62256EV18LL-70SNXI CY62256EV18LL-70SNXIT CY62256L-70PC CY62256L-70PXC