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CY7C1413KV18-250BZXC

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CY7C1413KV18-250BZXC PDF下載

功能描述
靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存儲容量
16 Mbit
組織
1 M x 16
訪問時間
55 ns
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
2.2 V
最大工作電流
22 uA
最大工作溫度
+ 85 C
最小工作溫度
- 40 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TSOP-48
封裝
Tray

CY7C1413KV18-250BZXC 技術參數

CY7C1413KV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1413KV18-250BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36864KB 1ms 470mA RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1413KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1413JV18-300BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR-II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1413JV18-300BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 2Mx18 QDR II Burst 4 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CY7C1413UV18-300BZC CY7C1413UV18-300BZXC CY7C14141KV18-250BZXC CY7C14141KV18-300BZXC CY7C1414AV18-167BZC CY7C1414AV18-167BZCT CY7C1414AV18-167BZI CY7C1414AV18-200BZC CY7C1414AV18-200BZI CY7C1414AV18-200BZXC CY7C1414AV18-250BZC CY7C1414BV18-167BZC CY7C1414BV18-200BZC CY7C1414BV18-200BZI CY7C1414BV18-200BZXI CY7C1414BV18-250BZC CY7C1414BV18-250BZXI CY7C1414JV18-250BZXC