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CYD18S36V18-200BBAXI

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CYD18S36V18-200BBAXI PDF下載

功能描述
靜態隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 200MHz Sync 靜態隨機存取存儲器
RoHS
否
制造商
Cypress Semiconductor
存儲容量
16 Mbit
組織
1 M x 16
訪問時間
55 ns
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
2.2 V
最大工作電流
22 uA
最大工作溫度
+ 85 C
最小工作溫度
- 40 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TSOP-48
封裝
Tray

CYD18S36V18-200BBAXI 技術參數

CYD18S36V18-167BBAI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (512Kx36) 1.8v 167MHz Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CYD18S18V18-200BBAXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 200MHz Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CYD18S18V18-200BBAXC 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18MB (1Mx18) 1.8v 200MHz Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CYD18S18V18-167BBAXI 功能描述:靜態隨機存取存儲器 18432KB (1Mx18) 1.8v 200MHz Sync 靜態隨機存取存儲器 RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray CYD09S72V18-250BBXC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 250MHZ 256LFBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:移動 SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:133MHz 接口:并聯電源電壓:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:557-1327-2 CYD18S72V18-200BBXC CYD18S72V18-200BBXI CYD18S72V18-200BGI CYD18S72V18-200BGXI CYD18S72V18-250BBXC CYD36S18V18-167BGXC CYD36S18V18-167BGXI CYD36S18V18-200BGXC CYD36S36V18-133BBXC CYD36S36V18-133BBXI CYD36S36V18-167BBXC CYD36S36V18-167BBXI CYD36S36V18-167BGXC CYD36S36V18-167BGXI CYD36S36V18-200BBXC CYD36S36V18-200BGXC CYD36S72V18-167BGXC CYD36S72V18-200BGXC