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參數資料
| 型號： | CEN-U06N |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202VAR |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 80V的五（巴西）總裁|甲一（c）|至202VAR |
| 文件頁數： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 25K |
| 代理商： | CEN-U06N |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CEN-U07N | TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202VAR |
| CEN-U45N | TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202VAR |
| CEN-U55N | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202VAR |
| CEN-U56N | TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202VAR |
| CEN-U57N | TRANSISTOR | BJT | PNP | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202VAR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CENU07 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS |
| CEN-U07 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Pwr Trans RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CEN-U07N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-202VAR |
| CEN-U10 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Power Transistors |
| CEN-U10N | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 300V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-202VAR |
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