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參數資料
| 型號： | CEN820 |
| 英文描述： | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 800NM PEAK WAVELENGTH | 20M | DOME-3.0 |
| 中文描述： | 光電晶體管|叩| 800NM峰值波長| 2000萬|穹頂- 3.0 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | CEN820 |
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CENW01 | Power Transistors |
| CENW01A | Power Transistors |
| CENW05 | Power Transistors |
| CENW06 | Power Transistors |
| CENW07 | Power Transistors |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CEN832 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:Small Signal NPN Transistors / Dual Transistors |
| CEN876 | 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 |
| CEN894 | 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 |
| CEN895 | 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 |
| CEN896 | 功能描述:TRANSISTOR DUAL TO78 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:停產 晶體管類型:- 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:- 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:- 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:- 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-78-6 金屬罐 供應商器件封裝:TO-78-6 標準包裝:1 |
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