009 疊層陶瓷電容器及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種疊層陶瓷電容器及其制造方法，該疊層陶瓷電容器具備交替疊層電介質層和內部電極層而成的電容器主體、和形成在該電容器主體的兩端部上的外部電極，所述電介質層由從Ca成分濃度、Sr成分濃度及Zr成分濃度中選擇的至少一項不同的至少2種鈦酸鋇晶粒、和晶界相構成。該疊層陶瓷電容器，即使作為電介質層采用由用Ca、Sr或Zr置換Ba的一部分的鈦酸鋇晶粒構成的電介質陶瓷，也能夠抑制晶粒的生長，例如即使在采用隧道式的大型燒成爐等的批量生產中，也能夠提高相對介電常數或溫度特性以及高溫負荷特性。

008 單層電容器用晶界層陶瓷介質瓷料、基片的制造方法及其基片
[摘要] 本發明涉及到一種單層電容器用晶界層陶瓷的介質瓷料，其特征在于：其組成及重量份為：SrCO3

012 疊層陶瓷電容器及其制造方法
[摘要] 本發明提供一種疊層陶瓷電容器及其制造方法，電介質層由如下介電陶瓷構成，該介電陶瓷以鈦酸鋇為主成分，具有平均粒徑為0.15～0.3μm的晶粒，相對于所述鈦酸鋇100摩爾份，以MgO換算含有鎂0.5～2摩爾份，以MnO換算含有錳0.2～0.5摩爾份，以RE2

004 鈦酸鍶基晶界層電容器材料制造方法
[摘要] 本發明了電容器用ＳｒＴｉO3

016 電介體瓷器及層疊陶瓷電容器
[摘要] 本發明提供在施加的電壓低的情況下也得到高的絕緣阻抗，并且，增加電壓時的絕緣阻抗的降低小的電介體瓷器、和作為電介體層具備這樣的電介體瓷器，高溫負荷中的壽命特性優越的層疊陶瓷電容器。該電介體瓷器具有以鈦酸鋇為主成分且含有釩的晶粒、和在該晶粒之間存在的晶界相，相對于構成所述鈦酸鋇的鋇1摩爾，按V2

013 電介體瓷器及層疊陶瓷電容器
007 陶瓷晶界層電容器制備方法
002 制造SrTiO3晶界層半導體陶瓷電容器的方法
003 鈦酸鍶基晶界層電容器材料制造方法
005 絕緣陶瓷及其制備方法和多層陶瓷電容器
001 晶界層半導體陶瓷電容器制造方法
017 半導體陶瓷粉末、半導體陶瓷及層疊型半導體陶瓷電容器
011 半導體陶瓷、層疊型半導體陶瓷電容器、半導體陶瓷的制造方法、層疊型的半導體陶瓷電容器的制造方法
010 帶可變阻功能的層疊型半導體陶瓷電容器及其制造方法
014 電介體瓷器及層疊陶瓷電容器
015 積層陶瓷電容器
006 層疊陶瓷電容器及其制造方法

以上17項技術包括在一張光盤內
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