- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384201 > CJD41CNPN (Central Semiconductor Corp.) COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數資料
| 型號： | CJD41CNPN |
| 廠商： | Central Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR |
| 中文描述： | 互補性的芯片功率晶體管 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | CJD41CNPN |
MAXIMUM RATINGS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
PD
UNITS
V
V
V
A
A
A
W
W
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Base Current
Power Dissipation
Power Dissipation (TA=25°C)
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
Thermal Resistance
100
100
5.0
6.0
10
2.0
20
1.75
TJ,Tstg
Θ
JC
Θ
JA
-65 to +150
6.25
71.4
°C
°C/W
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TC=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
ICEO
ICES
IEBO
BVCEO
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
fT
hfe
VCE=60V
VCE=100V
VEB=5.0V
IC=30mA
IC=6.0A, IB=600mA
VCE=4.0V, IC=6.0A
VCE=4.0V, IC=300mA
VCE=4.0V, IC=3.0A
VCE=10V, IC=500mA, f=1.0MHz
VCE=10V, IC=500mA, f=1.0kHz
50
μA
10
μA
500
μA
100
V
1.5
V
2.0
V
30
15
75
3.0
MHz
20
CJD41C NPN
CJD42C PNP
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTOR
DPAK TRANSISTOR CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R1 (26-September 2002)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CJD41C,
CJD42C types are Complementary Silicon Power
Transistors manufactured by the epitaxial base
process, mounted in a surface mount package
designed for power amplifier and high speed
switching applications.
MARKING CODE: FULL PART NUMBER
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CJD45H11 | COMPLEMENTARY SILICON |
| CJD44H11 | Complementary Silicon Power Transistor(互補硅功率晶體管) |
| CJP06N60 | MOSFET |
| CJP07N20 | MOSFET |
| CJP16N25 | MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CJD42C | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述: 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:General Purpose PNP SM POWER TRANSISTOR DPAK 20W 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:General Purpose PNP SM POWER TRANSISTOR DPAK 20W - free partial T/R at 500. |
| CJD42C TR13 | 功能描述:TRANS PNP 100V 6A DPAK 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:100V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 600mA，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 3A，4V 功率 - 最大值:1.75W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 |
| CJD42CPNP | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTOR |
| CJD44H11 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Bipolar Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| CJD44H11 TR13 | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:Bipolar Power Transistor |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。