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參數資料
| 型號： | CM100DUS-12F |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | HIGH POWER SWITCHING USE |
| 中文描述： | 大功率開關使用 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 129K |
| 代理商： | CM100DUS-12F |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM100DY-12H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM100DY-12H | Dual IGBTMOD 100 Amperes/600 Volts |
| CM100DY-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM100DY-24H | Dual IGBTMOD 100 Amperes/1200 Volts |
| CM100DY | HIGH POWER SWITCHING USE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CM100DUS-12F_11 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM100DY | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM100DY12E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |
| CM100DY12H | 制造商:DUO 功能描述:CM100DY-12H |
| CM100DY-12H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 600V 100A H SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
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