型號(hào): | CM100DY-24NF |
廠商: | Mitsubishi Electric Corporation |
英文描述: | HIGH POWER SWITCHING USE |
中文描述: | 大功率開關(guān)使用 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 93K |
代理商: | CM100DY-24NF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CM100TF-24 | SOCKET,PLCC,32 PIN |
CM100TF-24H | 122 x 32 pixel format, LED Backlight available |
CM100E3U-12H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
CM100E3U-12H | Chopper IGBTMOD 100 Amperes/600 Volts |
CM100E3U-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CM100DY-24NF_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
CM100DY28 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C) |
CM100DY28H | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C) |
CM100DY-28H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1400V 100A H SER RoHS:否 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
CM100DY-34A | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1700V 100A A SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |