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參數資料
| 型號： | CM100DY28H |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.4KV V(BR)CES | 100A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|半橋| 1.4KV五（巴西）國際消費電子展| 100號A一（c） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 93K |
| 代理商： | CM100DY28H |
Mar.2003
C1
E2
C2E1
E
LABEL
3-M5 NUTS
2-
φ
6.5 MOUNTING HOLES
TAB #110. t=0.5
17
4
1
94
23
23
17
2
+
–
2
7
16
7
16
7
16
80
±
0.25
4
1
4
12
12
12
E
G
4
2
(
C2E1
E2
E
G
C1
CIRCUIT DIAGRAM
Tc measured point (Base plate)
CM100DY-24NF
APPLICATION
General purpose inverters & Servo controls, etc
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100DY-24NF
HIGH POWER SWITCHING USE
I
C...................................................................
100A
V
CES .........................................................
1200V
Insulated Type
2-elements in a pack
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM100E3U24H | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
| CM100E3Y12E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |
| CM100E3Y24E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 100A I(C) |
| CM100TF12E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |
| CM100TF12H | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | 600V V(BR)CES | 100A I(C) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| CM100DY-34A | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1700V 100A A SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM100-E0000B | 功能描述:以太網模塊 Cobox Mini Device Server 10/100 2-TTL RoHS:否 制造商:Lantronix 產品:Device Servers 數據速率:300 bps to 921.6 kbps, 10 Mbps, 100 Mbps 接口類型:Ethernet, Serial 工作電源電壓:5 V to 15 V 工作電源電流:133 mA to 400 mA 最大工作溫度:+ 70 C |
| CM100E3U-12H | 功能描述:IGBT MOD CHOP 600V 100A U SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM100E3U-12H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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