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參數資料
型號: CM100TU-12F
廠商: Mitsubishi Electric Corporation
英文描述: 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
中文描述: 大功率開關使用
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 82K
代理商: CM100TU-12F
Aug. 1999
CM100TU-12F
1
4–
φ
5.5
MOUNTING HOLES
102
80
±
0.25
20
10
10
7
±
0
9
3
1
1
GuP
EuP
GvP
EvP
GwP
EwP
GuN
EuN
GvN
EvN
GwN
EwN
P
N
CM
G
E
G
E
G
E
G
E
G
E
G
E
11
11
11
19.1
19.1
11.85
U
V
W
5–M4NUTS
11
19.1
2.8
7
2
8
11
19.1
3.05
11
4
10
20
10
10
20
LABEL
(4)
29
0
CIRCUIT DIAGRAM
Tc measured point
Tc measured point
P
U
V
W
G
U
P
G
V
P
G
W
P
G
U
N
G
V
N
G
W
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E
U
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V
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E
W
N
N
E
U
P
E
V
P
E
W
P
RTC
RTC
RTC
RTC
RTC
RTC
APPLICATION
General purpose inverters & Servo controls, etc
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM100TU-12F
HIGH POWER SWITCHING USE
I
C...................................................................
100A
V
CES ............................................................
600V
Insulated Type
6-elements in a pack
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
相關PDF資料
PDF描述
CM100TU-12F 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
CM100TU-12H 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
CM100TU-12H 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
CM100TU-24F HIGH POWER SWITCHING USE
CM100TU-24F Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 100 Amperes/1200 Volts
相關代理商/技術參數
參數描述
CM100TU-12F_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM100TU-12H 功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 100A U SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
CM100TU-12H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100TU-12H_12 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM100TU-24F 功能描述:IGBT MOD 6PAC 1200V 100A F SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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