型號: | CM150DY-12NF |
廠商: | Mitsubishi Electric Corporation |
英文描述: | HIGH POWER SWITCHING USE |
中文描述: | 大功率開關(guān)使用 |
文件頁數(shù): | 1/4頁 |
文件大小: | 91K |
代理商: | CM150DY-12NF |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
CM150DY-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
CM150DY-24H | Dual IGBTMOD 150 Amperes/1200 Volts |
CM150E3U-12H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
CM150E3U-12H | Chopper IGBTMOD 150 Amperes/600 Volts |
CM150E3U-24H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
CM150DY-12NF_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
CM150DY-24A | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 150A A SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
CM150DY24E | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
CM150DY-24E | 制造商:POWEREX 制造商全稱:Powerex Power Semiconductors 功能描述:DUAL IGBTMOD-TM E-SERIES MODULE 150 AMPERES / 1200 VOLTS |
CM150DY-24H | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 150A H SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |