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參數資料
| 型號： | CM150E3Y24E |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT功率模塊|獨立| 1.2KV五（巴西）國際消費電子展| 150A一（c） |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 321K |
| 代理商： | CM150E3Y24E |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM150DY24E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
| CM200DU12H | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| CM200DY12E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| CM200DY12H | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
| CM200DY24E | TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CM150E3Y-24E | 制造商:n/a 功能描述:IGBT Module |
| CM150EXS-24S | 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT 1200V 150A 1150W MODULE 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT MODULE 1.2KV 150A 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 150A 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 150A; Transistor Polarity:N Channel; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Power Dissipation Pd:1.15kW; Operating Temperature Min:-40C; Operating Temperature Max:150C; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR |
| CM150RL-12NF | 功能描述:IGBT MOD 7PAC 600V 150A NF SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM150RL-12NF_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM150RL-12NF_12 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE |
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