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參數資料
| 型號： | CM200DU-24H |
| 廠商： | POWEREX INC |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Dual IGBTMOD 200 Amperes/1200 Volts |
| 中文描述： | 200 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | CM200DU-24H |
Sep.1998
Dimensions
Inches
Millimeters
A
4.25
108.0
B
2.44
62.0
C
1.14 +0.04/-0.02 29 +1.0/-0.5
D
3.66
±
0.01
1.88
±
0.01
93.0
±
0.25
48.0
±
0.25
E
F
0.87
22.0
G
0.16
4.0
H
0.24
6.0
J
0.59
15.0
Dimensions
Inches
Millimeters
K
0.71
18.0
L
0.87
22.0
M
0.33
8.5
N
0.10
2.5
P
0.85
21.5
Q
0.98
25.0
R
0.11
2.8
S
0.25 Dia.
6.5 Dia.
T
0.6
15.15
Description:
Mitsubishi IGBT Modules are de-
signed for use in switching applica-
tions. Each module consists of two
IGBTs in a half-bridge configuration
with each transistor having a re-
verse-connected super-fast recov-
ery free-wheel diode. All compo-
nents and interconnects are iso-
lated from the heat sinking base-
plate, offering simplified system
assembly and thermal manage-
ment.
Features:
u
Low Drive Power
u
Low V
CE(sat)
u
Discrete Super-Fast Recovery
Free-Wheel Diode
u
High Frequency Operation
u
Isolated Baseplate for Easy
Heat Sinking
Applications:
u
AC Motor Control
u
Motion/Servo Control
u
UPS
u
Welding Power Supplies
Ordering Information:
Example: Select the complete
module number you desire from
the table - i.e. CM200DU-24H is a
1200V (V
CES
), 200 Ampere Dual
IGBT Module.
Current Rating
Amperes
V
CES
Type
Volts (x 50)
CM
200
24
CM
A
D
S(4 - Mounting
Holes)
B
3 - M6 Nuts
E
Q
K
K
K
F
R
Q
N
G
P
H
J
U
C
L
M
H
T
C
Measured
Point
E2
G1
E1
G2
E2
C1
C2E1
T
Outline Drawing and Circuit Diagram
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM200DU-24H
HIGH POWER SWITCHING USE
INSULATED TYPE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CM200DU-24NFH | HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM200DY-12H | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM200DY-12H | Dual IGBTMOD 200 Amperes/600 Volts |
| CM200DY-12NF | HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM200DY-24A | HIGH POWER SWITCHING USE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| CM200DU-24H_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| CM200DU-24NFH | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 200A NFH SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM200DU-24NFH_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
| CM200DU-34KA | 功能描述:IGBT MOD DUAL 1700V 200A KA SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時的最大Vce（開）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B |
| CM200DU-34KA_09 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE |
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