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參數(shù)資料
型號(hào)： CM200TU-12F
廠商： POWEREX INC
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
中文描述： 200 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 82K
代理商： CM200TU-12F
Aug. 1999
CM200TU-12F
P
U
V
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G
U
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G
V
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P
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N
G
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N
G
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E
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P
RTC
RTC
RTC
RTC
RTC
RTC
GuN
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GvP
EvP
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EwP
E
G
G
G
G
G
G
E
E
E
E
E
U
V
W
P
N
CM
2.8
7
4
12
(4)
12
2
8
11
21.7
11
21.7
11
23
0.8
14.4
11
21.7
11
21.7
11
107
12
23
12
12
23
90
±
0.25
8
±
0
1
4
1
3
3
4–
φ
5.5
MOUNTING HOLES
5–M5NUTS
LABEL
29
0
CIRCUIT DIAGRAM
Tc measured point
Tc measured point
APPLICATION
General purpose inverters & Servo controls, etc
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM200TU-12F
HIGH POWER SWITCHING USE
I
C...................................................................
200A
V
CES ............................................................
600V
Insulated Type
6-elements in a pack
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CM200TU-12H 240 x 128 pixel format, CFL Backlight with power harness
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CM200TU-5F HIGH POWER SWITCHING USE
CM200TU-5F Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 200 Amperes/250 Volts
CM2010 VGA Port Protection with Integrated Sync Buffers
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CM200TU-12F_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM200TU-12H 功能描述:IGBT MOD 6PAC 600V 200A U SER RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:1.4V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:430A 電流 - 集電極截止（最大）:100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B
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CM-200X 制造商:Bogen Communications 功能描述:TELEPHONE EQUIPMENT, INTERCOM, Leaded Process Compatible:No, Peak Reflow Compati
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