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參數資料
型號: CM300DU-24F
廠商: POWEREX INC
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 300 Amperes/1200 Volts
中文描述: 300 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數: 1/4頁
文件大?。?/td> 73K
代理商: CM300DU-24F
Aug. 1999
CM300DU-24F
G
E
C1
E2
C2E1
RTC
RTC
CIRCUIT DIAGRAM
3-M6 NUTS
Tc measured point
4-
φ
6.5 MOUNTING HOLES
L A B E L
G
G
E
E
CM
C1
E2
C2E1
(
1
(
6
±
0
8
110
93
±
0.25
2.5
21.5
6
1
6
14
14
2
+
18
7
18
7
18
14
2
8
7
2.8
4
0.5
0.5
0.5
0.5
4
25
25
APPLICATION
General purpose inverters & Servo controls, etc
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM300DU-24F
HIGH POWER SWITCHING USE
I
C...................................................................
300A
V
CES .........................................................
1200V
Insulated Type
2-elements in a pack
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
相關PDF資料
PDF描述
CM300DU-24H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM300DU-24H Dual IGBTMOD 300 Amperes/1200 Volts
CM300DY-12NF HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DY-12 HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM3001-13MA Analog IC
相關代理商/技術參數
參數描述
CM300DU-24F_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DU-24H 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 300A U SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
CM300DU-24H_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DU-24NFH 功能描述:IGBT MOD DUAL 1200V 300A NFH SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
CM300DU-34KA 功能描述:IGBT MOD DUAL 1700V 300A KA SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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