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參數資料
型號: CM300DY-24NF
廠商: Mitsubishi Electric Corporation
英文描述: HIGH POWER SWITCHING USE
中文描述: 大功率開關使用
文件頁數: 1/4頁
文件大小: 92K
代理商: CM300DY-24NF
Mar.2003
G
G
E
E
C1
E2
C2E1
LABEL
TAB #110. t=0.5
14
14
14
(
21.5
25
25
6
1
6
4
18
7
18
7
18
3
2
+
8
2
93
±
0.25
110
6
±
0
8
3-M6 NUTS
4-
φ
6.5 MOUNTING HOLES
C2E1
E2
E
G
C1
CIRCUIT DIAGRAM
Tc measured point (Base plate)
CM300DY-24NF
APPLICATION
General purpose inverters & Servo controls, etc
MITSUBISHI IGBT MODULES
CM300DY-24NF
HIGH POWER SWITCHING USE
I
C...................................................................
300A
V
CES .........................................................
1200V
Insulated Type
2-elements in a pack
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
相關PDF資料
PDF描述
CM300DY-28H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM300DY-28H Dual IGBTMOD 300 Amperes/1400 Volts
CM300E3U-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
CM300E3U-12H Chopper IGBTMOD 300 Amperes/600 Volts
CM300HA-12H HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
相關代理商/技術參數
參數描述
CM300DY-24NF_09 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE
CM300DY-24NFH 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
CM300DY-24S 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT HALF BRIDGE 1200V 300A MOD 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:IGBT, MODULE, 1.2KV, 300A; Transistor Polarity:Dual N Channel; DC Collector Current:300A; Collector Emitter Voltage Vces:1.85V; Power Dissipation Pd:2.27kW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Min:-40C 制造商:Powerex Power Semiconductors 功能描述:POWER IGBT TRANSISTOR
CM300DY-28H 功能描述:IGBT MOD DUAL 1400V 300A H SER RoHS:否 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
CM300DY-34A 功能描述:IGBT MOD DUAL 1700V 300A A SER RoHS:是 類別:半導體模塊 >> IGBT 系列:IGBTMOD™ 標準包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時的最大Vce(開):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應商設備封裝:SOT-227B
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